三星7420和骁龙625（求对比，三星7420和骁龙660哪个好，如果没有660好那和骁龙625哪个好.）
本文目录
- 求对比，三星7420和骁龙660哪个好，如果没有660好那和骁龙625哪个好.
- 高通骁龙625和海思麒麟950哪个性能好
- 三星S6 Edge +手机的CPU(处理器)：四核2.1GHz 四核1.5GHz相当于骁龙多少
- 三星7420和骁龙625对比哪个更好
- 三星s6处理器相当于骁龙
求对比，三星7420和骁龙660哪个好，如果没有660好那和骁龙625哪个好.
Exynos 是猎户座的入门级处理器，性能与骁龙 相当，不及骁龙 。不过这些都是低端，如果看重性能完全没必要看这些，毕竟现在几百块钱都能买到中端处理器的设备。
高通骁龙625和海思麒麟950哪个性能好
高通骁龙625性能比麒麟950差多少？虽然骁龙625在中端市场为高通贡献巨大功劳，但毕竟麒麟950属于华为推出的旗舰处理器，即使已经过去一年时间，性能依然处于中高端之间。骁龙625比麒麟950性能有多大差距，我们不妨先来了解它们的参数。骁龙625参数骁龙625，虽然隶属于骁龙600系列，但作为高通首款采用14nm制程打造的八核心处理器，出色的功耗控制是它的招牌，相比较骁龙625的能效比更加值得期待。8个核心均为2.0GHz A53，GPU则为Adreno 506，与上一代的骁龙617相比，功耗节省35%。骁龙625最高支持Cat.7 LTE网络。另外和骁龙820一样的工艺节点并且同样支持Quick Charge 3.0快充技术。架构方面虽然只是Cortex-A53，但是单核心最高主频提升到2GHz，性能方面同样出色，安兔兔跑分大约在6万左右。据悉OPPO R9升级版R9s也将采用骁龙625这颗处理器。软件测试：安兔兔+Geekbench 3+3Dmark暴风雪本次使用的机型是三星不久前上市的C7，该机型配置为骁龙625+4GB的组合，测试通过软件测试、游戏体验两个方面入手，来看骁龙625的表现到底如何。使用最新版测试高通骁龙625可以看到，该处理器跑分达到了62717分， 在中高端机型上属于较好水平。从发布的排行版来看，骁龙625的性能与骁龙652有1万分左右的差距，但对比小米4S所搭载的骁龙808来说，跑分甚至领先一点，性能处于骁龙625＞骁龙625≥骁龙808，性能表现毋庸置疑。紧接着用Geekbench 3进行测试，最终显示骁龙625的单核性能分为942，多核性能分则达到了5129，骁龙652采用了级别更高的Cortex-A72架构，尽管主频比较低，但还是更有优势。所以在单核性能上骁龙625依旧存在一定差距，但在多核性能上甚至超越了骁龙652，从排名中也能看出该处理器多核性能领先去年的三星旗舰S6。使用3Dmark暴风雪（Ice Strom Unlimited）场景测试GPU性能，骁龙625跑出了13880的分数，事实证明了骁龙652上面Adreno 510GPU稍强于骁龙625上Adreno 506 GPU，但对于一些普通的3D游戏而言，骁龙625都可以提供流畅体验。麒麟950软件评测：安兔兔+Geekbench 3麒麟950在安兔兔v5.6.2版本下，跑分居然突破8万分，达到了82220的分数，着实彪悍，作为对比，跑分小王子三星7420目前的成绩在6万分左右。麒麟950安兔兔的各个得分项，CPU整数、浮点成绩分别是15075、8923，而CPU的单线程整数和单线程浮点为3084和3060，这些成绩都远超骁龙810和三星三星7420。这一点在实际测试中也表现了出来，麒麟950的单核分数1481分，多核性能分数达到了5420分。这一分数超过了上面评测的三星C7，完全是在辗压骁龙625。总结：骁龙625虽然性能不敌麒麟950，不过却也有许多新特性超越麒麟950，毕竟是高通后来才发布的新处理器。骁龙625主要还是面向中端市场，要想挑战高端完全不可能。
三星S6 Edge +手机的CPU(处理器)：四核2.1GHz 四核1.5GHz相当于骁龙多少
如上图所示三星S6 EDGE+采用Exynos7420，如下图所示相当于骁龙630和当年的对手810
。。该手机CPU型号三星 Exynos 7420，性能相当于骁龙625档次。
三星7420和骁龙625对比哪个更好
7420比骁龙625更好，7420对标的是骁龙820。
652的架构上看似已经超过7420，但它只是中端产品，因为高通对它投入的精力并不多，甚至不如800.801。
它的制程是28nm，比7420，骁龙820等的14nm甚至是810的20nm差不少，所以，7420在控制功耗等方面比652好太对太多了。
三星s6处理器相当于骁龙
625。该手机CPU型号三星Exynos7420,性能相当于骁龙625。三星S6采用的是三星自家的猎户座Exynos7420八核处理器；Exynos7420采用14nmFinFET制造工艺，FinFET是鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor）的简称，更小的制程意味着在芯片内部能够集成更多的晶体管，同时整体功耗也会有所下降，而密集的晶体管堆积所带来的漏电流问题也被其独特的“鱼鳍”状电流闸门设计所解决。
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